Характеристики датчика
Максимальное напряжение на нагревателе 5 В
Максимальное напряжение на сенсоре 5 В
Максимальная рассеиваемая нагревателем мощность 0,8 Вт
Максимальная температура нагревателя 300 оС
Сопротивление нагревателя при Т=20 оС 29,5 Ом
Сопротивление нагревателя при Т=300 оС 31,0 Ом
Время прогрева датчика от Т=20 оС до Т=300 оС 60 сек

.

[pic]

Приложение 8. Вольт-кодовая характеристика измерительного блока на базе ОУ
AD820 .

[pic]

Приложение 9. Описание и характеристики устройства отображения информации.

Точечно-матричный жидкокристаллический индикатор семейства LM44780 основные характеристики.

Тип индикатора пассивный, матричный.

Количество отображаемых символов/строк 20/2

Размеры знакоместа одного символа 5х7

Схема управления и регенерации встроенная

Управление 3-х разрядная линия

Количество генерируемых символов 208

Приложение 10. Расчетные графики зависимости количества носителей заряда от температуры полупроводниковой пленки.

Ниже приведен график зависимости

График построен для Qa =15 кДж / кмоль; ?0 = 1 с; Значение параметра E= F-
Ed лежит в диапазоне от 1.5*10-3 до 5*10-3

Приложение 11. Эталонные термограммы и таблица взаимных корреляций для некоторых веществ.

Для настройки датчика используются тарированные газовые растворы паров различных веществ в воздухе. Первоначально испытания датчика проводились на
20 эталонных образцах.
|Воздух |
|пары воды |
|хлороформ |
|четыреххлористый углерод |
|дихлорэтан |
|гексан |
|СГГ |
|Бензол |
|Толуол |
|Фенол |
|Формальдегид |
|Ацетон |
|спирт этиловый |
|аммиак |
|угарный газ |
|углекислый газ |
|уксусная к-та |
|метан |
|сероводород |
|озон |

|пары |1,0| | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|воды |0 | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|Хлороф|0,8|1,0| | | | | | | | | | | | | | | | | |
|орм |8 |0 | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|Четыре|0,7|0,9|1,0| | | | | | | | | | | | | | | | |
|ххлори|7 |1 |0 | | | | | | | | | | | | | | | | |
|стый | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|углеро| | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|д | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|Дихлор|0,8|0,8|0,9|1,0| | | | | | | | | | | | | | | |
|этан |5 |6 |4 |0 | | | | | | | | | | | | | | | |
|гексан|0,9|0,9|0,7|0,8|1,0| | | | | | | | | | | | | | |
| |9 |0 |6 |2 |0 | | | | | | | | | | | | | | |
|СГГ |0,9|0,6|0,4|0,6|0,9|1,0| | | | | | | | | | | | | |
| |1 |7 |9 |8 |1 |0 | | | | | | | | | | | | | |
|бензол|0,9|0,9|0,8|0,8|0,9|0,8|1,0| | | | | | | | | | | | |
| |7 |3 |6 |8 |8 |3 |0 | | | | | | | | | | | | |
|толуол|0,9|0,9|0,9|0,9|0,9|0,8|0,9|1,0| | | | | | | | | | | |
| |4 |3 |1 |5 |5 |1 |8 |0 | | | | | | | | | | | |
|фенол |0,9|0,8|0,6|0,7|0,9|0,8|0,9|0,8|1,0| | | | | | | | | | |
| |4 |7 |7 |0 |7 |7 |4 |7 |0 | | | | | | | | | | |
|Формал|0,9|0,8|0,6|0,7|0,9|0,9|0,9|0,8|0,9|1,0| | | | | | | | | |
|ьдегид|5 |0 |0 |2 |6 |7 |0 |7 |2 |0 | | | | | | | | | |
|ацетон|0,8|0,9|0,8|0,8|0,9|0,7|0,9|0,9|0,8|0,8|1,0| | | | | | | | |
| |8 |7 |2 |0 |1 |3 |2 |1 |9 |6 |0 | | | | | | | | |

спирт этиловый |0,70 |0,43 |0,18 |0,38 |0,71 |0,91 |0,60 |0,56 |0,70 |0,86

|0,56 |1,00 | | | | | | | | |аммиак |-0,73 |-0,82 |-0,59 |-0,50 |-0,79 |-
0,59 |-0,79 |-0,69 |-0,90 |-0,70 |-0,83 |-0,43 |1,00 | | | | | | |
|Углекислый газ |-0,72 |-0,84 |-0,59 |-0,46 |-0,76 |-0,54 |-0,75 |-0,65 |-
0,85 |-0,68 |-0,84 |-0,40 |0,93 |1,00 | | | | | | |угарный газ |0,90 |0,64

|0,45 |0,62 |0,90 |0,99 |0,82 |0,77 |0,87 |0,96 |0,70 |0,91 |-0,61 |-0,56

|1,00 | | | | | |уксусная к-та |0,67 |0,89 |0,95 |0,87 |0,67 |0,42 |0,77

|0,84 |0,58 |0,55 |0,83 |0,18 |-0,52 |-0,58 |0,35 |1,00 | | | | |метан
|0,96 |0,93 |0,77 |0,78 |0,98 |0,84 |0,97 |0,92 |0,99 |0,92 |0,94 |0,64 |-

0,88 |-0,86 |0,84 |0,68 |1,00 | | | |Сероводород |0,84 |0,98 |0,85 |0,76

|0,88 |0,62 |0,91 |0,87 |0,89 |0,76 |0,96 |0,39 |-0,90 |-0,91 |0,61 |0,82
|0,94 |1,00 | | |озон |0,90 |0,97 |0,79 |0,76 |0,93 |0,74 |0,93 |0,89 |0,93
|0,87 |0,99 |0,55 |-0,88 |-0,90 |0,72 |0,77 |0,96 |0,97 |1,00 | |

-----------------------

110 с

110 с

Рис 1. Напряжение на нагревателе.

R

t

Рис 2. Снятие термограмм.

SDO

Старший Адрес

Данные

Младший Адрес

Port 2

Port 0

PSEN

ALE

TXD

RXD

D50

+9V

+VCC

O

I

GND

SW1

L4

C106

C105

C5

C105

C33

D16

+vcc

+vcc

C20

C19

C32

C22

R54

R5

C107

C5

L 4

+VCC

Устройство
Отображения
Информации

C20

Блок питания

RS232

+VCC

D7

R67

D6

R66

D5

R65

D4

R640

D3

R630

D2

R62

D1

R610

R60

D0

R60

ER

&

P3

P2

P1

P0

D8

D11

VT1

R5

R4

R34

VT3

VT2

R64

R2

R1

+VCC

+VCC

+VCC

RS

VD61

R41

C431

C42

C41

ZQ1

SDO
CLK
CS

ПЗУ программ

0000 hex

7FFF hex

ОЗУ

0000 hex

7FFF hex

9FFF hex

BFFF hex

CFFF hex

EFFF hex

FFFF hex

ПЗУ Данных

Индикатор

Регистр страниц

Резерв

Резерв

Страничная Организация ПЗУ данных 64 страницы по 8Кбайт каждая

Название вещества2

Запись1

Адрес зап. Hi

Адрес зап.

Адрес зап. Lo

Длина зап. Hi

Длина зап. Lo

Справочная информация

Название вещества1

[pic]

Зона проводимости

Валентная зона

Ea

E+

E g

Расположение примесных уровней в запрещенной зоне полупроводника.
Удаленность примесных уровней от «дна» зоны проводимости E + и от «потолка» валентной зоны Ea составляет примерно 10-2 эВ. Ширина запрещенной зоны Eg составляет примерно 1 эВ. Средняя кинетическая энергия электронов при
Т=293оС соответствует 2.5* 10-2 эВ.

Vin

U2

D3

D7

D6

D4

D5

D2

D1

DC

P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7

&

WR
LCD

LCD

R/W
C
RS

A0/D0 A1/D1
A2/D2
A3/D3
A4/D4
A5/D5
A6/D6
A7????????????????????????/D7

A11

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

&

WR
RG

RG_P

OE
C

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

A16
A17
A18
A19
A20
A21
A22
A237

A0/D0 A1/D1
A2/D2
A3/D3
A4/D4
A5/D5
A6/D6
A7/D7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

WRRD

&

E0
E1
E2

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

RTC

LCD

RG

DROM

A12 A13
A14
A15

A0
A1
A2

ROM

A15
DROM

OE
CS

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A16
A17
A18
A19
A20
A21
A22

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14 A15
A16
A17
A18
NC
NC
NC

RAM

A15
RD

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
WR

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14

R/W
OE
CS

RG_A

ROM

A15
PSEN

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14

OE
CS

CPU

AT89C512

OE
ALE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7

A0/D0 A1/D1
A2/D2
A3/D3
A4/D4
A5/D5
A6/D6
A7/D7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

+5

RXD TXD
INT0
INT1
_

WR
RD

P3.0

P3.1

P3.2

P3.3

P3.4

P3.5

P3.6

P3.7

A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15

P2.0

P2.1

P2.2

P2.3

P2.4

P2.5

P2.6

P2.7

A0/D0 A1/D1
A2/D2
A3/D3
A4/D4
A5/D5
A6/D6
A7/D7

P0.0

P0.1

P0.2

P0.3

P0.4

P0.5

P0.6

P0.7

XTAL1

XTAL2

RST

EA

PSEN
ALE

P1.0

P1.1

P1.2

P1.3

P1.4

P1.5

P1.6

P1.7

Дешифратор
Адреса
Периферийных
Устройств

Измерительный блок

Интерфейс RS-232

Регистр страниц
ПЗУ

Регистр
Шины
Данных

ПЗУ Данных

ОЗУ

ПЗУ программ

Микроконтроллер

Структурная схема жидкокристаллического модуля семейства LM44780.

Схема обмена информацией с модулем LM44780.

[pic]

C106

C33

C19

C32

+VCC

+VCC

C22

R54

R55

O0

O1

D0

Q0

I0

V+

V-

Старт

Нагреватель

Включен ?

ДА

ДА

Нагреватель

Выключен ?

НЕТ

Флаг «НовоеИзмерение» установлен

НЕТ

Нагреватель

Включен ?

Записать результат в массив
Сбросить флаг «Новое измерение»

НЕТ

Последнее измерение?

Вычислить проводимости. Найти матрицу M и столбец В

Решить систему Mij*Xi=Вj

НЕТ

Все Xi >0

Изъять строки и столбцы, соответствющие отрицательным Xi

Конец

Структурная схема жидкокристаллического модуля семейства LM44780.

Рис.5. Алгоритм работы прибора

Рис. 4. Обмен данными по шине Адрес-Данные

?’

n 8kT
4 ?m

?’f

aм=?-? ?

d ? d t

=0

d ? d t

f n 2kT ?0 exp(Qa/RT) aм ?m

f Р 2 ?0 exp(Qa/RT) aм ? m k T

?’

nd’A(P, S0)

2 ?0 exp(Qa/RT) ? k T (1+exp(-

(Ed-F)/kT))

[pic]

[pic]

2 ?0 exp(Qa/NakT) ? k T (1+exp(-

(Ed-F)/kT))

nd’

[pic]

В диапазоне 100-700 оК

В диапазоне 290-630 оК

[pic]

Графики термограмм для веществ, с которыми проводились измерения

Таблица корреляций термограмм. Серым отмечены эталоны, заложенные в ПЗУ прибора.

2 ?0 exp(Qa/Na*1/kT) ? k T (1+exp(-

(Ed-F)/kT))

nd’A(P, S0)

Рис.5. Алгоритм работы прибора

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8